产品中心
——
XND1109
所属分类：
低噪声放大器
关键词：
双频GNSS
低噪声放大器芯片
描述
XND1109IE 型双频GNSS低噪声放大器是一款应用于1170MHz~1260MHz & 1560MHz~1620MHz频段信号接收的高性价比低噪声放大器，单端输入，L1&L5双频输出，可单颗LNA应用于L1/L5高精度导航应用，采用SiGe BiCMOS工艺制造。芯片工作电压1.5V~3.6V，增益15.5~18dB，噪声系数0.9~1.2dB，工作电流5.1mA。封装为1.1mm×0.7mm×0.4mm DFN6L。
特点
• 高增益：L5:18dB； L1:15.5dB；
• 低噪声系数：L5:0.9dB; L1:1.2dB；
• 宽工作电压：1.5V ~ 3.6V；
• 单端输入双频输出；
• 小尺寸：1.1mm×0.7mm×0.4mm；
• 低噪声系数：L5:0.9dB; L1:1.2dB；
• 宽工作电压：1.5V ~ 3.6V；
• 单端输入双频输出；
• 小尺寸：1.1mm×0.7mm×0.4mm；
器件特征
| 器件名称 | 封装形式 | 封装尺寸 | 工作温度 |
| XND1109IE | DFN6L | 1.1×0.7×0.4 mm³ | -40℃～85℃ |
应用范围
GNSS导航应用
功能框图
引脚定义
| 编号 | 名称 | 类型 | 功能描述 |
| 1 | RFOUT1 | RFIO | 射频输出（L5频段） |
| 2 | VCC | AP | 电源 |
| 3 | RFOUT2 | RFIO | 射频输出（L1频段） |
| 4 | GND | G | BIAS 地 |
| 5 | RFIN | RFIO | 射频输入端，外部需要匹配。 |
| 6 | GNDRF | G | 射频地 |
— 相关产品展示 —
重庆西南集成电路设计有限责任公司
扫描访问手机网站