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XN2152-3

所属分类：

上变频电路

关键词：

XN2152-3

描述
XN2152-1型S 波段上变频电路，具有很高的集成度，集成了频率合成器和发射通道上变频器。其中上变频器集成了本振缓冲放大器、混频器、可控增益放大器、有源双转单电路，射频驱动放大器以及射频开关电路等。频率合成器电路集成VCO、参考buffer、参考分频器等单元。频率合成器用于提供1020MHz~1340MHz 的射频本振信号，上变频器将中频输入信号与频率合成器提供的本振信号混频实现上变频功能。电路防静电能力达到500V（HBM）。

特点

• 集成一路发射、SPDT射频开关和本振频率源

• 中频输入频率：900MHz~1000MHz

• 射频输出频率：1780MHz~2300MHz

•高开关隔离度:30dB

• 高输出线性度：OCP-1≥5dBm

•射频输出功率可变范围：7dB

• 参考输入信号频率：10MHz~100MHz

•输出参考时钟功率：≥-2dBm

• 低本振相位噪声：≤-105dBc/Hz@100kHz

• 工作电流200mA@5.0V

器件特征