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XND1180
所属分类：
射频开关
关键词：
XND1180
描述
XND1180是一款高功率反射式射频开关芯片。芯片在0.2GHz~5GHz频带内具有低插入损耗、低功耗、高隔离度、和高功率的特点。芯片射频端口无直流电平输出。芯片采用2mm×2mm×0.75 DFN6L塑料封装。
特点
•宽工作频带0.2GHz~5GHz
•低插入损耗0.7dB@0.2GHz
•高输出功率40dBm@0.2GHz
•高线性度OIP3 50dBm
•隔离度35dB@0.2GHz
•低功耗
器件特征
| 器件名称 | 封装形式 | 封装尺寸 | 工作温度 |
| XND1180 | DFN6L | 2×2×0.75 mm³ | -40℃～85℃ |
应用范围
4G/5G无线通讯系统
功能框图
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重庆西南集成电路设计有限责任公司
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