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产品描述
参数
描述
XND42482型SP8T射频开关是一款基于硅基SOI工艺的高隔离度、吸收式单刀八掷射频开关，具有低插损和高线性度的特点。在射频端口直流工作点为0V时，射频端口无需隔直电容。封装为4mm*4mm QFN24L。
特点
• 宽频带
• 低插损
• 高隔离度
• 高线性度
器件特征
| 器件名称 | 封装形式 | 封装尺寸 | 工作温度 |
| XND42482 | QFN24L | 4×4×0.75 mm³ | -40℃～85℃ |
应用范围
•通信设备
•4G/5G基站
功能框图
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发布时间：2020-06-05 00:00:00
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